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UTC(友顺)线性稳压场应效管LM317K-AA3-R 封装SOT-223
场效应管基于这样的概念:附近物体上的电荷可以吸引半导体通道内的电荷。场效应管由半导体沟道组成,其两端的电极称为漏极和源极。称为栅极的控制电极放置在非常靠近通道的位置,使得其电荷能够影响通道。场效应管的栅极控制以这种方式从源极流到漏极的载流子(电子或空穴)的流动。它通过控制导电通道的尺寸和形状来实现。
发生电流的半导体通道可以是P型或N型。这产生了两种类型或类别的场效应管,称为P沟道和N沟道场效应管。
除此之外,增加栅极上的电压可以耗尽或增加通道中可用的电荷载流子的数量。