产品名称：

FQA9N90C_F109

产品特性：
介质材料：
应用范围：
功率特性：
频率特性：
调节方式：
引线类型：
漏电流：

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

特性
9A, 900V, RDS(on) = 1.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低（典型值：45nC)
低 Crss（典型值14pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准