NMOS和PMOS场效应管防反保护解析

NMOS FET通过D引脚和s引脚在电源和负载之间串联。电阻器R1和R2为MOS晶体管提供电压偏置。VR1用于限制VG之间的电压，防止击穿，在正极连接期间，R1和R2提供VGS电压，MOS饱和并开启。反向连接时，MOS无法打开，因此它起到反反向连接的作用。MOS管的开关特性用于控制电路的通断，以防止电源反向连接对负载造成损坏。

PMOS场效应管防反保护如下图所示：

PMOS FET通过D引脚和s引脚在电源和负载之间串联。电阻器R1和R2为MOS晶体管提供电压偏置。VR1用于限制VSG之间的电压，防止击穿。在正极连接期间，R1和R2提供VSG电压，MOS饱和并导通。反向连接时，MOS无法打开，因此它起到反反向连接的作用。MOS管的开关特性用于控制电路的通断，以防止电源反向连接对负载造成损坏。

由于场效应管的加工工艺导致NMOS管的导通电阻比PMOS的小，所以最好选用NMOS。