什么是场效应晶体管？

场效应晶体管，被用于电源输入端，作用是调节电压大小，进而控制输入端电流大小，达到输入端电流大小正比于电压大小。场效应管操作原理是依赖于输入栅极电压产生的电场（因此称为场效应），因此这使得场效应晶体管成为“电压”操作设备。

场效应晶体管是具有外观相似的三个端子单极半导体双极晶体管，作用是具备高效率、即时操作、坚固，可用于大多数电子电路应用，可替代其等效的双极结晶体管 (BJT) 的表亲。场效应晶体管可以做得比等效的 BJT 晶体管小得多，而且由于其低功耗，它们非常适合用于集成电路，例如 CMOS 系列数字逻辑芯片，同时成本也更低。

场效应双极晶体管有两种结构，分别是NPN和PNP，场效应晶体管是一种三端器件，在漏极和源极之间的主要载流路径内没有PN结。其端子在功能上分别对应于双极晶体管的集电极和发射极。两个端子之间的电流路径称为“通道”，它可以由 P 型或 N 型半导体材料制成。

通道中流动的电流控制方式是通过改变施加到栅极的电压来实现的。顾名思义，双极晶体管拥有“双极”，它们与两种类型的电荷载流子、空穴和电子一起工作。另一方面，场效应晶体管也是一种“单极”器件，仅依赖于电子（N 沟道）或空穴（简称MOSFET。

场效应晶体管有两种主要类型，结型场效应晶体管或JFET和绝缘栅场效应晶体管或IGFET），它们通常被称为标准金属氧化物半导体场效应晶体管或简称MOSFET。